Παρασκευή, 3 Σεπτεμβρίου 2010

Transistor από γραφίνη αγγίζει τα 300GHz


Η όρος "γραφίνη" ακούστηκε για πρώτη φορά το 2007, όταν ερευνητές από το Πανεπιστήμιο του Princeton έχρισαν το εν λόγω υλικό ως πιθανό διάδοχο της σιλικόνης στην κατασκευή επεξεργαστών. Με το Νόμο του Moore να φτάνει σιγά-σιγά στα όριά του, η αναζήτηση εναλλακτικών λύσεων οδήγησε σε νέα μονοπάτια, με τη γραφίνη να θέτει σοβαρή υποψηφιότητα. Έκτοτε δεν υπήρξαν σημαντικές εξελίξεις, ωστόσο κάτι φαίνεται να αλλάζει.





Μια ομάδα από το Πανεπιστήμιο της California στο Los Angeles ανακοίνωσε ότι κατάφερε να κατασκευάσει ένα transistor από γραφίνη, το οποίο λειτουργεί σε ταχύτητες που δεν μπορεί να φτάσει η σιλικόνη. Το κοντέρ σταμάτησε στα 300GHz, ένα νούμερο περίπου διπλάσιο από τις επιδόσεις της σιλικόνης. Θεωρητικά, η ταχύτητα μπορεί να ανέβει σημαντικά και να φτάσει μέχρι και το 1THz. Σύμφωνα με τους ερευνητές, πέρα από την ταχύτητα, η κατασκευή ενός τέτοιου transistor δεν έχει μεγαλύτερο κόστος από την παραγωγή με βάση τα υλικά που ήδη χρησιμοποιούνται.

Βέβαια, η κατασκευή ενός transistor υψηλών επιδόσεων απέχει πολύ από έναν επεξεργαστή φτιαγμένο από γραφίνη. Υπάρχει ακόμα πολύς δρόμος για τους ερευνητές και αρκετά εμπόδια που πρέπει να ξεπεραστούν. Για παράδειγμα, ένα από τα μεγάλα στοιχήματα είναι να φτάσει η γραφίνη σε ικανοποιητικά επίπεδα ανθεκτικότητας.


πηγή:pc magazine
Add To Facebook Add To Twitter Add To Yahoo Add To Reddit Fav This With Technorati Add To Del.icio.us Digg This Stumble This

Δεν υπάρχουν σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου